9icnet为您提供由Rectron USA设计和生产的BZM55B51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZM55B51参考价格为0.226美元。Rectron USA BZM55B51包装/规格：ZENER 51V 500MW MICRO-MELF。您可以下载BZM55B51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如BZM55B51价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZM55B4V7-TR是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004762盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.15 mm，长度为1.9 mm，该装置也可以用作1.35mm宽。此外，封装外壳为2-SMD，无引线，工作温度范围为-65°C~175°C，设备为安装型表面安装，供应商设备封装为MicroMELF，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为600欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为2%，电压温度系数为-0.015%/C，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZM55B4V7-TR3是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.35 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，适用于4.7 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如4.7V，电压容差设计为2%，以及-0.015%/C电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.004762盎司，该设备采用MicroMELF供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为2-SMD，无引线，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为1.9 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为600 Ohm，高度为1.15 mm，并且电流反向泄漏Vr为500nA@1V，并且配置为单一。
BZM55B4V3-TR是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括单一配置，它们设计为在1μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.15 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如600欧姆，Ir反向电流设计为在1uA下工作，长度为1.9 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为2-SMD，无引线，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为MicroMELF，单位重量为0.004762 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为-0.045%/C，电压容差为2%，电压齐纳标称Vz为4.3V，Vz齐纳电压为4.3V，宽度为1.35mm，Zz齐纳阻抗为90欧姆。
BZM55B4V3-TR3是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为表面安装安装型，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供配置功能，如单个，供应商设备包设计用于MICROMELF，以及汽车AEC-Q101系列，该器件也可以用作90欧姆Zz齐纳阻抗，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件提供600欧姆阻抗最大Zzt，该器件最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，电压齐纳标称Vz为4.3V，Vz齐纳电压为4.3 V，封装外壳为2-SMD，无引线，电压容差为2%，电流反向泄漏Vr为1μA@1V，长度为1.9 mm，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，宽度为1.35 mm，高度为1.15 mm，Ir反向电流为1 uA，单位重量为0.004762 oz，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，电压温度系数为-0.045%/C。
