先进的工艺能力已用于实现这种高性能设备。SOT26封装中NPN和PNP晶体管的结合为预期应用提供了一种紧凑的解决方案
![ZXTC2062E6TA](https://uploads.9icnet.com/images/product/picture/318/331/7085516.jpg)
ZXTC2062E6TA
- 描述:晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 4A, 3.5A 最大功率: 1.1瓦 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.79432 | 5.79432 |
10+ | 5.07003 | 50.70030 |
100+ | 3.88509 | 388.50920 |
500+ | 3.07099 | 1535.49500 |
1000+ | 2.45679 | 2456.79200 |
3000+ | 2.22646 | 6679.40100 |
6000+ | 2.17287 | 13037.22000 |
- 库存: 28
- 单价: ¥5.79432
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.79
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN,PNP
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 集电极最大截止电流 50nA (ICBO)
- 包装/外壳 SOT-23-6
- 供应商设备包装 SOT-26
- 最大功率 1.1瓦
- 最大集电极电流 (Ic) 4A, 3.5A
- 集电极击穿电压 20伏
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 190mV@200毫安,4A,250mV@175毫安,3.5A
- 最小直流增益 280@1A,2V/170@1A,1v
- 特征频率 215MHz、290MHz
ZXTC2062E6TA 产品详情
ZXTC2062E6TA所属分类:双极性晶体管阵列,ZXTC2062E6TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXTC2062E6TA价格参考¥5.794320,你可以下载 ZXTC2062E6TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXTC2062E6TA规格参数、现货库存、封装信息等信息!
达尔科技 (Diodes rporated)
![达尔科技 (Diodes rporated)](https://uploads.9icnet.com/images/brand/logo/web-diodes.png)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...