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HN1B04FE-Y,LF

  • 描述:晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.24529 2.24529
10+ 1.83245 18.32454
100+ 0.96982 96.98240
500+ 0.63795 318.97750
1000+ 0.43385 433.85000
2000+ 0.39133 782.66800
4000+ 0.38850 1554.03600
8000+ 0.33780 2702.47200
12000+ 0.28710 3445.30800
28000+ 0.27023 7566.52400
100000+ 0.23901 23901.60000
  • 库存: 4072
  • 单价: ¥2.24530
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.25
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规格参数

  • 集电极击穿电压 50V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN,PNP
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@10毫安、100毫安
  • 最大功率 100mW
  • 供应商设备包装 ES6
  • 最小直流增益 120@2毫安,6V
  • 特征频率 80MHz

HN1B04FE-Y,LF 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:PNP+NPN
  • 内部连接:独立
  • 备注:等级由hFE范围指定。
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:0.25 V
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:80 MHz
  • 装配底座:80 MHz

应用

一般用途
HN1B04FE-Y,LF所属分类:双极性晶体管阵列,HN1B04FE-Y,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN1B04FE-Y,LF价格参考¥2.245299,你可以下载 HN1B04FE-Y,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN1B04FE-Y,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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