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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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品牌型号
描述
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HN1C01FU-Y(T5L,F,T
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥4.15743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.15743

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HN1B04F(TE85L,F)
HN1B04F(TE85L,F)
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥513.71717

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥513.71717

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HN1B01FU-Y(L,F,T)
HN1B01FU-Y(L,F,T)
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥625.41717

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥625.41717

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥101.23923

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.23923

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HN1A01F-Y(TE85L,F)
HN1A01F-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥125.20077

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥125.20077

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HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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HN1B04FE-Y,LF
HN1B04FE-Y,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.24530

4072

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.24530

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HN1A01FU-Y,LF
HN1A01FU-Y,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.02801

2999

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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HN1A01FE-Y,LF
HN1A01FE-Y,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.34766

39

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.34766

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HN1C01FE-Y,LF
HN1C01FE-Y,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.12120

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.12120

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2SC4207-Y(TE85L,F)
2SC4207-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.60744

3785

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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HN1B04FE-GR,LF
HN1B04FE-GR,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.10744

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.10744

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HN1C01FE-GR,LF
HN1C01FE-GR,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.08788

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,351.53600

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2SA1873-GR(TE85L,F
2SA1873-GR(TE85L,F
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.56567

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.56567

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HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ESV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.82473

3594

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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HN1C01FYTE85LF
HN1C01FYTE85LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.46259

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.82473

2645

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.08257

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥247.70700

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HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.44146

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,765.82000

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HN4A56JU(TE85L,F)
HN4A56JU(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.24361

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,730.81800

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