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HN4A56JU(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
1+ 1.24360 1.24360
  • 库存: 100
  • 单价: ¥1.24361
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规格参数

  • 晶体管类别 2 PNP(双)
  • 集电极击穿电压 50V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 200mW
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 特征频率 60MHz
  • 最小直流增益 120@2毫安,6V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 10毫安, 100毫安
  • 包装/外壳 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供应商设备包装 USV

HN4A56JU(TE85L,F) 产品详情

  • 特点:低噪音
  • 极性:PNP+PNP
  • 内部连接:公共底座
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:700-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:700-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:100 MHz
  • 装配底座:100 MHz
HN4A56JU(TE85L,F)所属分类:双极性晶体管阵列,HN4A56JU(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN4A56JU(TE85L,F)价格参考¥1.243606,你可以下载 HN4A56JU(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN4A56JU(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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