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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

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HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.11445

2680

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.11445

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HN4A51JTE85LF
HN4A51JTE85LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.06495

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.06495

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HN2C01FU-Y(TE85L,F
HN2C01FU-Y(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.40416

2820

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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2SA1873-Y(TE85L,F)
2SA1873-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.60744

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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2SA1618-Y(TE85L,F)
2SA1618-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.54902

2079

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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HN2C01FU-GR(T5L,F)
HN2C01FU-GR(T5L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.47659

8619

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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HN1C03FU-A(TE85L,F
HN1C03FU-A(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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ULN2803AFWG,C,EL
ULN2803AFWG,C,EL
晶体管类别: 8 NPN Darlington 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 1.31W 供应商设备包装: 18-SOP 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA)

¥75.31854

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥75.31854

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ULN2004AFWG,N,E
ULN2004AFWG,N,E
晶体管类别: 7 NPN Darlington 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: 16-SOL 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA)

¥133.31162

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥133.31161

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HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW、210mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.39016

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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HN1C01FU-GR,LF
HN1C01FU-GR,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.39016

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.52189

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.52189

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2SC4944-Y(TE85L,F)
2SC4944-Y(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: USV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.60744

727

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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HN1C01FU-Y,LF
HN1C01FU-Y,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥1.88315

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.88315

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2SC4207-GR(TE85L,F
2SC4207-GR(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双)公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥2.60744

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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HN4C51J(TE85L,F)
HN4C51J(TE85L,F)
晶体管类别: 2 NPN(双)公共基极 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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HN2A01FU-Y(TE85L,F
HN2A01FU-Y(TE85L,F
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.25931

4835

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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HN2C01FEYTE85LF
HN2C01FEYTE85LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.72429

3825

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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HN1C01F-GR(TE85L,F
HN1C01F-GR(TE85L,F
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.22888

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.22888

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HN4B04J(TE85L,F)
HN4B04J(TE85L,F)
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.39016

8

5-7 工作日

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