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HN1C01FU-Y,LF

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.88315 1.88315
10+ 1.57170 15.71709
100+ 0.83148 83.14850
500+ 0.54698 273.49200
1000+ 0.37199 371.99500
3000+ 0.33549 1006.47300
6000+ 0.29174 1750.46400
15000+ 0.24799 3719.95500
30000+ 0.23336 7000.98000
75000+ 0.21880 16410.60000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.88315
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.88
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规格参数

  • 集电极击穿电压 50V
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 200mW
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@10毫安、100毫安
  • 最小直流增益 120@2毫安,6V
  • 特征频率 80MHz
  • 工作温度 125摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 US6

HN1C01FU-Y,LF 产品详情

·小包装(双类型)
·高电压和高电流
:VCEO=50V,IC=150mA(最大值)
·高hFE:hFE=120~400
·卓越的hFE线性
:hFE(Ic=0.1mA)/hFE(Ic=2mA)=0.95(典型值)


特色

  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:0.25 V
  • 装配底座:0.25 V
  • 装配底座:80 MHz
  • 装配底座:80 MHz

应用

一般用途


(图片:引线/示意图)

HN1C01FU-Y,LF所属分类:双极性晶体管阵列,HN1C01FU-Y,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN1C01FU-Y,LF价格参考¥1.883154,你可以下载 HN1C01FU-Y,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN1C01FU-Y,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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