- 适用范围：一般用途
- 极性：NPN+NPN
- 内部连接：独立
- 备注：等级由hFE范围指定。
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：400-
- 装配底座：120-
- 装配底座：400-
- 装配底座：120-
- 装配底座：0.25 V
- 装配底座：0.25 V
- 装配底座：80 MHz
- 装配底座：80 MHz
应用
一般用途
HN2C01FEYTE85LF
- 描述:晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.72429 | 0.72429 |
| 10+ | 0.55770 | 5.57703 |
| 100+ | 0.47585 | 47.58590 |
| 500+ | 0.42399 | 211.99950 |
| 1000+ | 0.40241 | 402.41600 |
- 库存: 3825
- 单价: ¥0.72429
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.72
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 集电极击穿电压 50V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 过时的
- 晶体管类别 2 NPN（双）
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@10毫安、100毫安
- 最大功率 100mW
- 特征频率 60MHz
- 供应商设备包装 ES6
- 最小直流增益 120@2毫安，6V
HN2C01FEYTE85LF 产品详情
HN2C01FEYTE85LF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HN28-3-A+ | 美国盛朗 (SL Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 28伏 功率（瓦特）: 84W 效率值: 45% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥592.28091 |
 | HN264 | 西门子 (Siemens) | HDSS 200N LUG KIT 600V 200A | ¥1,467.12182 |
 | HN263 | 西门子 (Siemens) | HDSS 200N LUG KIT 600V 100A | ¥1,074.33936 |
 | HN22A | 西门子 (Siemens) | GDSS NEUTRAL LUG KIT 60A | ¥461.73488 |
| HN2150520000G | 安费诺·安泰克 (Amphenol Anytek) | 种类: 插头，母插座 针位数: twenty-one 间距: 0.200英寸（5.08毫米） 线规区间 (AWG): 12-26 AWG 连接头表面处理: 锡 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥36.98811 |
| HN2450500000G | 安费诺·安泰克 (Amphenol Anytek) | 种类: 插头，母插座 针位数: twenty-four 间距: 0.200英寸（5.08毫米） 线规区间 (AWG): 12-26 AWG 连接头表面处理: 锡 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥36.98811 |
| HN27C4096AG12 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-CDIP | ¥191.57471 |
| HN27C4001G15 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP | ¥191.57471 |
 | HN27C4001G10 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-CDIP | ¥191.57471 |
| HN27C4096AG10 | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-CDIP | ¥191.57471 |
HN2C01FEYTE85LF所属分类：双极性晶体管阵列，HN2C01FEYTE85LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HN2C01FEYTE85LF价格参考￥0.724290，你可以下载 HN2C01FEYTE85LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HN2C01FEYTE85LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
