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HN4C51J(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双)公共基极 集电极击穿电压: 120伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMV 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.33173 3.33173
10+ 2.70884 27.08845
100+ 1.84259 184.25940
500+ 1.38194 690.97250
1000+ 1.03645 1036.45900
3000+ 0.95005 2850.15300
6000+ 0.89254 5355.25800
15000+ 0.83488 12523.33500
30000+ 0.81482 24444.78000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.33173
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.33
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规格参数

  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 最大功率 300mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 SC-74A,SOT-753
  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 100MHz
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 集电极击穿电压 120伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最小直流增益 200@2毫安,6V
  • 供应商设备包装 SMV
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 1毫安, 10毫安
  • 晶体管类别 2 NPN(双)公共基极

HN4C51J(TE85L,F) 产品详情

  • 特点:低噪音
  • 极性:PNP+PNP
  • 内部连接:公共底座
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:700-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:700-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:100 MHz
  • 装配底座:100 MHz
HN4C51J(TE85L,F)所属分类:双极性晶体管阵列,HN4C51J(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN4C51J(TE85L,F)价格参考¥3.331734,你可以下载 HN4C51J(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN4C51J(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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