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HN2A01FU-Y(TE85L,F

  • 描述:晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.43361 24.33614
100+ 1.37832 137.83240
500+ 0.91260 456.30250
1000+ 0.69966 699.66400
3000+ 0.64490 1934.72400
  • 库存: 4835
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 晶体管类别 2 PNP(双)
  • 集电极击穿电压 50V
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 200mW
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最小直流增益 120@2毫安,6V
  • 特征频率 80MHz
  • 工作温度 125摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 US6
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 10毫安, 100毫安

HN2A01FU-Y(TE85L,F 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:PNP+PNP
  • 内部连接:独立
  • 备注:等级由hFE范围指定。
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:80 MHz
  • 装配底座:80 MHz

应用

一般用途
HN2A01FU-Y(TE85L,F所属分类:双极性晶体管阵列,HN2A01FU-Y(TE85L,F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN2A01FU-Y(TE85L,F价格参考¥3.259305,你可以下载 HN2A01FU-Y(TE85L,F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN2A01FU-Y(TE85L,F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

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