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HN1C03F-B(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.11444 3.11444
10+ 2.67987 26.79873
100+ 1.99904 199.90400
500+ 1.57084 785.42000
1000+ 1.21383 1213.83800
3000+ 1.10671 3320.14500
6000+ 1.03530 6211.80000
15000+ 1.01038 15155.77500
  • 库存: 2680
  • 单价: ¥3.11445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.11
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规格参数

  • 最大功率 300mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 集电极击穿电压 20伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大集电极电流 (Ic) 300毫安
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 100mV@3毫安,30毫安
  • 供应商设备包装 SM6
  • 最小直流增益 350 @ 4毫安, 2V
  • 特征频率 30MHz

HN1C03F-B(TE85L,F) 产品详情

  • 适用范围:静音
  • 极性:NPN+NPN
  • 内部连接:独立
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:30 MHz
  • 装配底座:30 MHz

应用

静音
HN1C03F-B(TE85L,F)所属分类:双极性晶体管阵列,HN1C03F-B(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN1C03F-B(TE85L,F)价格参考¥3.114447,你可以下载 HN1C03F-B(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN1C03F-B(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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