久芯网

HN1C03FU-A(TE85L,F

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.63641 26.36416
100+ 1.79334 179.33420
500+ 1.34515 672.57550
1000+ 1.00879 1008.79100
3000+ 0.92477 2774.31900
6000+ 0.86871 5212.27800
15000+ 0.81265 12189.79500
30000+ 0.79309 23792.94000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 200mW
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 集电极击穿电压 20伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大集电极电流 (Ic) 300毫安
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 100mV@3毫安,30毫安
  • 供应商设备包装 US6
  • 特征频率 30MHz
  • 最小直流增益 200@4毫安,2V

HN1C03FU-A(TE85L,F 产品详情

  • 适用范围:静音
  • 极性:NPN+NPN
  • 内部连接:独立
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:30 MHz
  • 装配底座:30 MHz

应用

静音
HN1C03FU-A(TE85L,F所属分类:双极性晶体管阵列,HN1C03FU-A(TE85L,F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN1C03FU-A(TE85L,F价格参考¥3.259305,你可以下载 HN1C03FU-A(TE85L,F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN1C03FU-A(TE85L,F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

会员中心 微信客服
客服
回到顶部