- 适用范围：一般用途
- 极性：NPN+NPN
- 内部连接：独立
- 备注：等级由hFE范围指定。
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：400-
- 装配底座：120-
- 装配底座：400-
- 装配底座：120-
- 装配底座：0.25 V
- 装配底座：0.25 V
- 装配底座：80 MHz
- 装配底座：80 MHz
应用
一般用途
HN1C01F-GR(TE85L,F
- 描述:晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SM6 工作温度: 125摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.22887 | 0.22887 |
- 库存: 300
- 单价: ¥0.22888
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.23
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规格参数
- 集电极击穿电压 50V
- 最大功率 300mW
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 2 NPN（双）
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@10毫安、100毫安
- 最小直流增益 120@2毫安，6V
- 工作温度 125摄氏度（TJ）
- 特征频率 800MHz
- 供应商设备包装 SM6
HN1C01F-GR(TE85L,F 产品详情
HN1C01F-GR(TE85L,F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HN12-5.1-A+ | 美国盛朗 (SL Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 61W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,073.42675 |
 | HN1102NLT | 普思电子 (Pulse) | IC CHIP | ¥24.8953 |
| HN1710300000G | 安费诺·安泰克 (Amphenol Anytek) | 种类: 插头，母插座 针位数: seventeen 间距: 0.138英寸（3.50毫米） 线规区间 (AWG): 14-26 AWG 连接头表面处理: 锡 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥18.04989 |
 | HN12-5.1-A | 贝尔电力 (Bel Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 61W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~50摄氏度 | ¥917.18291 |
 | HN15-4.5-A+ | 美国盛朗 (SL Power) | 种类: 线性的 输出数量: one 电压输出1: 15伏 功率（瓦特）: 68W 效率值: 55% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥632.91357 |
| HN122-01020 | 锦梧电子 (KUM) | NMWP01MA-B | ¥0.57291 |
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | 东芝 (Toshiba) | ¥0.41067 | |
| HN1B01FU-GR,LF(B | 东芝 (Toshiba) | ¥0.80903 | |
| HN1C01FU-GR,LF(T | 东芝 (Toshiba) | ¥0.22888 | |
| HN1A01F-GR(TE85L,F | 东芝 (Toshiba) | ¥0.51932 |
HN1C01F-GR(TE85L,F所属分类：双极性晶体管阵列，HN1C01F-GR(TE85L,F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HN1C01F-GR(TE85L,F价格参考￥0.228876，你可以下载 HN1C01F-GR(TE85L,F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HN1C01F-GR(TE85L,F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
