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HN1C03FU-B,LF

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.08595 20.85955
100+ 1.18276 118.27660
500+ 0.78310 391.55100
1000+ 0.60036 600.36400
3000+ 0.52206 1566.20400
6000+ 0.46984 2819.08200
15000+ 0.41762 6264.39000
30000+ 0.39155 11746.53000
75000+ 0.36938 27704.10000
  • 库存: 2645
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 200mW
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 集电极击穿电压 20伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大集电极电流 (Ic) 300毫安
  • 供应商设备包装 US6
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 100mV@3毫安,30A
  • 最小直流增益 350 @ 4毫安, 2V
  • 特征频率 30MHz

HN1C03FU-B,LF 产品详情

  • 适用范围:静音
  • 极性:NPN+NPN
  • 内部连接:独立
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:1200-
  • 装配底座:200-
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:0.1 V
  • 装配底座:30 MHz
  • 装配底座:30 MHz

应用

静音
HN1C03FU-B,LF所属分类:双极性晶体管阵列,HN1C03FU-B,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN1C03FU-B,LF价格参考¥2.824731,你可以下载 HN1C03FU-B,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN1C03FU-B,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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