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HN4B01JE(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ESV 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.08595 20.85955
100+ 1.18276 118.27660
500+ 0.78310 391.55100
1000+ 0.60036 600.36400
2000+ 0.52206 1044.13600
4000+ 0.52206 2088.27200
8000+ 0.46984 3758.77600
12000+ 0.41762 5011.51200
28000+ 0.39155 10963.42800
100000+ 0.36938 36938.80000
  • 库存: 3594
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 集电极击穿电压 50V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 晶体管类别 NPN、PNP(发射极耦合)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 250mV@10毫安、100毫安
  • 最大功率 100mW
  • 特征频率 80MHz
  • 最小直流增益 120@10MA、100MA
  • 包装/外壳 SOT-553
  • 供应商设备包装 ESV

HN4B01JE(TE85L,F) 产品详情

  • 适用范围:一般用途
  • 极性:PNP+NPN
  • 内部连接:公共发射器
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:400-
  • 装配底座:120-
  • 装配底座:0.25 V
  • 装配底座:-0.3 V
  • 装配底座:80 MHz
  • 装配底座:80 MHz

应用

一般用途
HN4B01JE(TE85L,F)所属分类:双极性晶体管阵列,HN4B01JE(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HN4B01JE(TE85L,F)价格参考¥2.824731,你可以下载 HN4B01JE(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HN4B01JE(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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