9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的EMX5T2R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EMX5T2R参考价格为3.205136美元。Rohm Semiconductor EMX5T2R封装/规格：TRANS 2NPN 11V 0.05A 6EMT。您可以下载EMX5T2R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EMX3T2R是TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT，包括EMX3系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如SOT-563、SOT-666，安装类型设计用于表面安装，以及EMT6供应商设备封装，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为150mW，该器件采用2 NPN（双）晶体管类型，该器件具有150mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA、6V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@5mA、50mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为180MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.4 V，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为7 V，且最大DC集电极电流为0.15A，且增益带宽积fT为180MHz，且连续集电极电流是150mA，且DC集电极基本增益hfe Min为120，且DC电流增益hfe Max为560。
EMX4T2R是TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT，包括20V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@4mA、20mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于EMT6以及EMX4系列，该设备也可作为150mW最大功率使用。此外，Pd功耗为150mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有SOT-563、SOT-666封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为0.05 A，增益带宽积fT为1.5 GHz，频率转换为1.5GHz，发射极基极电压VEBO为3 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为56@10mA，10V，直流电流最大增益hFE在10 mA，10V时为27，直流集电极基极增益hFE最小值为27，集电极Ic最大值为50mA，集电极截止值最大值为500nA（ICBO），配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为20V，集电极基极电压VCBO为30V。
带有电路图的EMX52T2R，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于100mA集流器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于120@1mA、6V的频率转换特性，如350MHz，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-563、SOT-666封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为150mW，该设备在EMT6供应商设备包中提供，该设备具有2 NPN（双）晶体管类型，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@5mA，50mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
