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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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数量
操作
FMY1AT148
FMY1AT148
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.32810

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.32810

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IMT1AT108
IMT1AT108
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.33173

314

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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QSZ2TR
QSZ2TR
晶体管类别: NPN、PNP(发射极耦合) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1.5A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.60892

2546

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.60892

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IMZ4T108
IMZ4T108
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 32伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.11468

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.11468

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EMZ7T2R
EMZ7T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.69388

703

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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UMZ8NTR
UMZ8NTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安、500毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥376.18174

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥376.18174

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IMX4T108
IMX4T108
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.83874

824

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.83874

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QSX8TR
QSX8TR
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 30伏 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.05602

457

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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EMT52T2R
EMT52T2R
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

4918

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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QS5W2TR
QS5W2TR
晶体管类别: 2 NPN(双)公共发射极 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 3A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.82207

65

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.82207

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QS6Z5TR
QS6Z5TR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.25瓦 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.08404

588

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.08404

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UMB4NFHATN
UMB4NFHATN
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.60744

2990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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EMX3T2R
EMX3T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.82089

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.82089

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EMX51T2R
EMX51T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.46259

6

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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EMX2T2R
EMX2T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥286.30344

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥286.30343

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UMB3NFHATN
UMB3NFHATN
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.60744

2579

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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EMX4T2R
EMX4T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥62.80904

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.80904

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UMZ1NTR
UMZ1NTR
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.23902

350

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23902

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EMX5T2R
EMX5T2R
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 11伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥23.21448

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.21448

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EMZ2T2R
EMZ2T2R
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥128.91638

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.91638

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