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XN0221100L带有引脚细节，包括切割带（CT）封装，设计用于SC-74A、SOT-753封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如Mini5-G1，功率最大设计为300mW，以及2 NPN-预偏置（双）晶体管类型，该设备还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该设备提供10k电阻底座R1欧姆，该设备具有10k电阻发射器底座R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，电流收集器截止最大值为500nA，频率转换为150MHz。
XN0187200L是MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5，包括3.5V@100μA Vgs th Max Id，它们设计用于Mini5-G1供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于50 Ohm@20mA，5V，提供功率最大功能，如300mW，封装设计用于Digi-ReelR，以及SC-74A，SOT-753封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供15pF@5V输入电容Ciss Vds，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为50V，电流连续漏极Id 25°C为100mA。
XN0160200L是TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI5，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，设计用于500mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于85@150mA，10V，提供200MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及SC-74A，SOT-753包装箱，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，功率最大值为300mW，该设备采用Mini5-G1供应商设备包，该设备具有晶体管型NPN、PNP（发射极耦合），Vce饱和最大值Ib-Ic为600mV@30mA、300mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
