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NSV60100DMTWTBG

  • 描述:晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 2.27瓦 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.63545 4.63545
10+ 4.05602 40.56024
100+ 3.10792 310.79280
500+ 2.45679 1228.39600
1000+ 2.02801 2028.01200
3000+ 2.02801 6084.03600
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥4.63546
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.64
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 60V
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 2 NPN(双)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 最大集电极电流 (Ic) 1A
  • 最小直流增益 120@500毫安,2V
  • 特征频率 155兆赫
  • 最大功率 2.27瓦
  • 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 6-WDFN (2x2)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 100毫安, 2A

NSV60100DMTWTBG 产品详情

ON Semiconductor的e2PowerEdge系列低VCE(sat)晶体管是微型表面安装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力,采用小尺寸2x2mm塑料无引线封装。这些设计用于低电压、高速开关应用,其中经济高效的能量控制非常重要。在汽车行业,它们可用于安全气囊部署和仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge设备直接从PMU的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器中的理想组件。

特色

  • 连续集电极电流(IC)=-1A集电极峰值电流(ICM)=-2A
  • 高鲁棒性
  • 低VCE(sat):-200 mV@IC=-1 A,IB=-100 mA(Beta:IC/IB=10)
  • 高能效
  • hFE为140@IC=-1 A,VCE=-2 V
  • 高增益放大
  • NSV60100DMTWTBG-可湿侧包装装置
  • 改进的AOI能力
  • 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR,符合RoHS标准

应用

  • 高压侧开关
  • 过电压保护
  • 汽车LED照明
  • 汽车安全气囊展开
  • 汽车仪表盘
NSV60100DMTWTBG所属分类:双极性晶体管阵列,NSV60100DMTWTBG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSV60100DMTWTBG价格参考¥4.635456,你可以下载 NSV60100DMTWTBG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSV60100DMTWTBG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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