9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXT12P20DXTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXT12P20DXTA参考价格$3.0438。Diodes Incorporated ZXT12P20DXTA包装/规格:TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP。您可以下载ZXT12P20DXTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXT12P12DXTA是TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP,包括ZXT12系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.004938盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽),以及表面安装安装型,该设备也可以用作8-MSOP供应商设备包。此外,配置为双重,该设备提供1.04W功率最大,该设备具有2 PNP(双重)晶体管型,集电器Ic Max为3A,集电器-发射极击穿最大值为12V,直流电流增益hFE Min Ic Vce为300@1A,2V,Vce饱和最大值Ib Ic为270mV@30mA,3A,集电器截止最大值为100nA,频率转换为85MHz,Pd功耗为0.87W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃,集电极-发射极电压VCEO Max为-12 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-150 mV,集电极基极电压VCBO为-20 V,发射极基极电压VEBO为7.5 V,最大直流集电极电流为3A,增益带宽乘积fT为85 MHz,连续集电极电流为-3A,直流集电极基本增益hfe Min在10mA时为300,在2V时为300;在2A时为200,在3A时为200;在12V时为20;在10V时为300。
ZXT12N50DXTC是TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在250mV@50mA、3A Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.004938盎司,提供晶体管类型功能,如2 NPN(双),晶体管极性设计为在NPN下工作,以及8-MSOP供应商设备包,该设备也可以用作ZXT12系列。此外,功率最大值为1.04W,该设备提供0.87 W Pd功耗,该设备具有磁带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽),且安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,最大直流集电极电流为3A,增益带宽积fT为132 MHz,频率转换为132MHz,发射极基极电压VEBO为7.5 V,并且DC电流增益hFE Min Ic Vce在1A、2V时为300,且DC电流增益h FE Max在2 V时为10 mA时为250,且DC集电极基本增益hFE Min在2 V下为250,在2 V 300时为1 mA时为1 V,在3 V时为150,在2 A时为2 V,在5 A时为5A,且电流集电极Ic Max为3A,且集电极截止电流最大值为100nA,且连续集电极电流为3A,并且配置为Dual,集电极-发射极电压VCEO Max为50 V,集电极-发射器饱和电压为135 mV,集电极基极电压VCBO为100 V。
ZXT12P12DXTC是TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP,包括100nA集电器最大截止电流,它们设计用于3A集电器Ic Max,DC电流增益hFE Min Ic Vce,如数据表注释所示,用于300@1A,2V,具有85MHz等频率转换特性,安装类型设计用于表面安装,以及8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽)封装盒,该器件也可用作磁带和卷轴(TR)替代封装。此外,功率最大值为1.04W,该器件采用8-MSOP供应商器件封装,该器件具有2 PNP(双)晶体管型,Vce饱和最大值Ib-Ic为270mV@30mA,3A,电压集电极-发射极击穿最大值为12V。