9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的EMH2FHAT2R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EMH2FHAT2R参考价格为0.46000美元。Rohm Semiconductor EMH2FHAT2R封装/规格：NPN+NPN数字晶体管（CORR）。您可以下载EMH2FHAT 2R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EMH2411R-TL-H是MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8，包括EMH2411R系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为8-EMH，该设备为2 N通道（双）公共漏极FET型，该设备最大功率为1.4W，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Rds Id Vgs为36.5 mOhm@2.5A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为5.9nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为36.5mOhm，晶体管极性为N沟道。
EMH2409-TL-H是MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8，包括8-EMH供应商设备包，它们设计为在最大Id Vgs时工作59 mOhm@2A，10V Rds，数据表注释中显示了用于1.2W的最大功率，提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，包壳设计为在8-SMD、扁平导线中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为240pF@10V，该器件提供4.4nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
EMH2412-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8，包括6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在24V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6.3nC@4.5V下工作，以及表面安装安装型，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，设备采用磁带和卷轴（TR）封装，设备最大功率为1.4W，最大Id Vgs的Rds为27mOhm@3A，4.5V，供应商设备封装为8-EMH。
