9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMC2010R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC1010R参考价格为0.5888美元。松下电子元件DMC2010R包装/规格：TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5。您可以下载DMC21010R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC204LPK-7是MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN，包括DMC204系列，它们设计用于带卷（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000744盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于6-SMD，无引线，以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有6-DFN1612（1.2x1.6）的供应商设备包，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为150pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为750mA，600mA，Rds On最大Id Vgs为550mOhm@540mA，4.5V，Vgs th最大Id为1V@250μA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为750mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为+/-1V，Rds漏极源极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，正向跨导最小值为200mS，沟道模式为增强。
DMC204VK-7是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.000106盎司，晶体管类型设计用于1 N通道1 P通道，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-563，该设备为DMC204系列，该设备具有550 mOhm@540mA、4.5V Rds On Max Id Vgs、Rds On Drain Source电阻为400 mOhm、功率最大值为450mW、Pd功耗为400 mW、包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOT-562、SOT-666、，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为150pF@16V，Id连续漏电流为670 mA，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为670mA，530mA，配置为N通道P通道，通道模式为增强型。
DMC204VK-7-F，电路图由DIODES制造。DMC204VK-7-F采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
