9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVMUN5137DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVMUN5137DW1T1G参考价格为0.11777美元。onsemi NSVMUN5137DW1T1G包装/规格：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88。您可以下载NSVMUN5137DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVMUN5133DW1T1G，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，最大功率设计为250mW，以及2 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该设备还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该设备提供4.7k电阻底座R1欧姆，该设备具有47k电阻发射器底座R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，电流收集器截止最大值为500nA。
带有用户指南的NSVMUN5135DW1T1G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，电阻器-发射极基极R2欧姆设计为47k，除了2.2k电阻基极R1欧姆之外，该器件还可以用作250mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
NSVMUN5132T1G是双极晶体管-预偏置SS BR XSTR PNP 50V，包括卷筒封装，它们设计用于MUN5132系列。
