9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMC2600R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC2600R参考价格为0.42000美元。松下电子元件DMC2600R包装/规格:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5。您可以下载DMC2600R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMC25D1UVT-7,包括DMC25系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该产品提供SOT-23-6薄型、TSOT-23-6等封装外壳功能,技术设计为在硅中工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,信道数量为2信道,该设备在TSOT-26供应商设备包中提供,该设备具有1个N信道1个P信道配置,FET类型为N和P信道,最大功率为1.3W,漏极至源极电压Vdss为25V、12V,输入电容Cis-Vds为27.6pF@10V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为500mA,3.9A,Rds On最大Id Vgs为4 Ohm@400mA,4.5V,Vgs th最大Id为1.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为0.9nC@10V,Pd功耗为1.3W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为4.3 ns 6.5 ns,上升时间为1.4 ns 2.7 ns,Vgs栅极-源极电压为8 V 8 V,Id连续漏极电流为500 mA-3.5 A,Vds漏极-源极击穿电压为25 V-12 V,Vgs第h栅极-源极端电压为650 mV-350 mV,Rds漏极源极电阻为4欧姆100 m欧姆,晶体管极性为N沟道P沟道,典型关断延迟时间为5.7ns 9.8ns,典型接通延迟时间为2.5ns 1.2ns,Qg栅极电荷为0.9nC24.5nC,信道模式为增强。
DMC25D0UVT-7,带用户指南,包括1.5V@250μA Vgs th Max Id,设计用于650 mV-500 mV Vgs th栅极-源极阈值电压,Vgs栅极-源电压如数据表注释所示,用于8 V 12 V,提供Vds漏极-源极击穿电压功能,如25 V-30 V,典型开启延迟时间设计为3 ns 3.5 ns,该器件还可以用作N沟道P沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件在TSOT-26供应商器件包中提供,该器件具有DMC25系列,上升时间为2.3 ns 3.3 ns,Rds On Max Id Vgs为4 Ohm@400mA,4.5V,Rds On Drain Source电阻为4 Ohms 300 mOhms,Qg栅极电荷为0.7 nC 21 nC,功率最大值为1.2W,Pd功耗为1.2W,包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为SOT-23-6薄型TSOT-23-6,工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数量为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围-55°C,最大工作温度范围+150°C,输入电容Ciss Vds为26.2pF@10V,Id连续漏极电流为400 mA-2.6 A,栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@8V,FET类型为N和P通道,FET特性为标准,下降时间为3.7 ns 14.6 ns,漏极到源极电压Vdss为25 V,30 V,电流连续漏极Id 25°C为400 mA,3.2A,配置为1 N通道1 P通道,并且信道模式是增强。
DMC2D1UVT-13,带电路图,包括500mA、3.9A电流连续漏极Id 25°C,它们设计为在25V、12V漏极到源极电压Vdss下工作,FET特性如数据表注释所示,用于标准,提供N和P通道等FET类型特性,栅极电荷Qg Vgs设计为在0.9nC@10V下工作,以及27.6pF@110V输入电容Cis-Vds,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ,工艺为Si,Vgs th Max Id为1.5V@250μA。