9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMC2600R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC2600R参考价格为0.42000美元。松下电子元件DMC2600R包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5。您可以下载DMC2600R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMC25D1UVT-7，包括DMC25系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供SOT-23-6薄型、TSOT-23-6等封装外壳功能，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1.3W，漏极至源极电压Vdss为25V、12V，输入电容Cis-Vds为27.6pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为500mA，3.9A，Rds On最大Id Vgs为4 Ohm@400mA，4.5V，Vgs th最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.9nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.3 ns 6.5 ns，上升时间为1.4 ns 2.7 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V 8 V，Id连续漏极电流为500 mA-3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V-12 V，Vgs第h栅极-源极端电压为650 mV-350 mV，Rds漏极源极电阻为4欧姆100 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为5.7ns 9.8ns，典型接通延迟时间为2.5ns 1.2ns，Qg栅极电荷为0.9nC24.5nC，信道模式为增强。
DMC25D0UVT-7，带用户指南，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于650 mV-500 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压如数据表注释所示，用于8 V 12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如25 V-30 V，典型开启延迟时间设计为3 ns 3.5 ns，该器件还可以用作N沟道P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在TSOT-26供应商器件包中提供，该器件具有DMC25系列，上升时间为2.3 ns 3.3 ns，Rds On Max Id Vgs为4 Ohm@400mA，4.5V，Rds On Drain Source电阻为4 Ohms 300 mOhms，Qg栅极电荷为0.7 nC 21 nC，功率最大值为1.2W，Pd功耗为1.2W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6薄型TSOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为26.2pF@10V，Id连续漏极电流为400 mA-2.6 A，栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@8V，FET类型为N和P通道，FET特性为标准，下降时间为3.7 ns 14.6 ns，漏极到源极电压Vdss为25 V，30 V，电流连续漏极Id 25°C为400 mA，3.2A，配置为1 N通道1 P通道，并且信道模式是增强。
DMC2D1UVT-13，带电路图，包括500mA、3.9A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在25V、12V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在0.9nC@10V下工作，以及27.6pF@110V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，工艺为Si，Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
