9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVMUN5314DW1T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVMUN5314DW1T3G参考价格为0.11778美元。onsemi NSVMUN5314DW1T3G包装/规格：TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6。您可以下载NSVMUN5314DW1T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVMUN5312DW1T2G，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，功率最大设计为250mW，以及1 NPN，1 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该器件也可以用作100mA集流器Ic Max。此外，集流器-发射极击穿最大值为50V，该器件提供22k电阻基极R1欧姆，该器件具有22k电阻发射极基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为250mV@300μa，10mA，集电极截止电流最大值为500nA。
带有用户指南的NSVMUN5312DW1T3G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，电阻器-发射极基极R2欧姆设计为22k，除了22k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作250mW最大功率。此外，该封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA、10V，集流器Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为500nA。
NSVMUN5237T1G，带电路图，包括卷筒包装。
