9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC510100R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC510100R参考价格0.684777美元。松下电子元件DMC510100R包装/规格:TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI5。您可以下载DMC501010R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如DMC510100R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
DMC450SSD-13是MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO,包括DMC4500系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.002610盎司,提供SMD/SMT、,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)此外,安装类型为表面安装,该器件提供2通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的8-SO,配置为双四漏极,FET类型为N和P通道,最大功率为1.8W,晶体管类型为1 N通道1 P通道,漏极至源极电压Vdss为40V,输入电容Ciss Vds为1790.8pF@20V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为5.3A,最大Id Vgs上的Rds为45 mOhm@3A,10V,Vgs最大Id为1.8V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为37.56nC@10V,Pd功耗为2.14W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5.27 ns,上升时间为15.14ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为5.8A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Vgs第栅极-源阈值电压为1.3V,Rds漏极源极导通电阻为45m欧姆,晶体管极性为N沟道P沟道,典型关断延迟时间为24.29ns,典型开启延迟时间为8.08ns,Qg栅极电荷为37.56nC,信道模式为增强。
DMC450SSD-13-58,带有DIODES制造的用户指南。DMC450SSD-13-58采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。
DMC450SSD-13-F,电路图由DIODES制造。DMC450SSD-13-F采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。