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DMC5610N0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B，以及双重配置，该器件还可以用作150mW功率最大值。此外，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合），该器件提供100mA电流收集器Ic Max，该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为4.7k，电阻器基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为100 mA，DC集电极基极增益hfe Min为0.5，典型输入电阻为4.7千欧，典型电阻比为0.1。
DMC5610L0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于1的典型电阻比，该表提供了典型的输入电阻特性，例如4.7千欧，晶体管类型设计用于2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合）以及NPN晶体管极性，该器件也可以用作SMini5-F3-B供应商器件包。此外，电阻发射极基极R2欧姆为4.7k，器件提供4.7k电阻基极R1欧姆，器件最大功率为150mW，Pd功耗为150mW。封装为胶带和卷轴（TR），封装外壳为5-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-40℃，它的最大工作温度范围为+150℃，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@5mA，10V，直流集电极基极增益hFE最小为20，集电极Ic最大为100mA，集电极截止最大为500nA，连续集电极电流为100 mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大为50 V。
DMC5610M0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流，其提供了电流集电极截止最大值功能，如500nA，电流集电极Ic Max设计用于100mA，以及80@5mA，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce，其最大工作温度范围为+150℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有5-SMD封装盒扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为150mW，电阻底座R1欧姆为2.2k，电阻器-发射极基极R2欧姆为47k，供应商设备包为SMini5-F3-B，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），典型输入电阻器为2.2k欧姆，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
