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DMC5610N0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于SMD/SMT安装样式,数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B,以及双重配置,该器件还可以用作150mW功率最大值。此外,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合),该器件提供100mA电流收集器Ic Max,该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值,电阻器基极R1欧姆为4.7k,电阻器基极R2欧姆为47k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极截止最大值为500nA,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V,晶体管极性为NPN,连续集电极电流为100 mA,DC集电极基极增益hfe Min为0.5,典型输入电阻为4.7千欧,典型电阻比为0.1。
DMC5610L0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于1的典型电阻比,该表提供了典型的输入电阻特性,例如4.7千欧,晶体管类型设计用于2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合)以及NPN晶体管极性,该器件也可以用作SMini5-F3-B供应商器件包。此外,电阻发射极基极R2欧姆为4.7k,器件提供4.7k电阻基极R1欧姆,器件最大功率为150mW,Pd功耗为150mW。封装为胶带和卷轴(TR),封装外壳为5-SMD,扁平引线,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最低工作温度范围为-40℃,它的最大工作温度范围为+150℃,直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@5mA,10V,直流集电极基极增益hFE最小为20,集电极Ic最大为100mA,集电极截止最大为500nA,连续集电极电流为100 mA,配置为双重,集电极-发射极电压VCEO最大为50 V。
DMC5610M0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max,它们设计用于双配置,数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流,其提供了电流集电极截止最大值功能,如500nA,电流集电极Ic Max设计用于100mA,以及80@5mA,10V直流电流增益hFE最小Ic Vce,其最大工作温度范围为+150℃。此外,安装类型为表面安装,该器件采用SMD/SMT安装方式,该器件具有5-SMD封装盒扁平引线,封装为Digi-ReelR交替封装,最大功率为150mW,电阻底座R1欧姆为2.2k,电阻器-发射极基极R2欧姆为47k,供应商设备包为SMini5-F3-B,晶体管极性为NPN,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双),典型输入电阻器为2.2k欧姆,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极-发射极击穿最大值为50V。