9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC56400R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC56400R参考价格为0.48000美元。松下电子元件DMC56400R包装/规格：TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6。您可以下载DMC56400R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC5610N0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B，以及双重配置，该器件还可以用作150mW功率最大值。此外，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合），该器件提供100mA电流收集器Ic Max，该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为4.7k，电阻器基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为100 mA，DC集电极基极增益hfe Min为0.5，典型输入电阻为4.7千欧，典型电阻比为0.1。
DMC562000R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于47千欧的典型输入电阻器，其提供了晶体管类型的功能，如2 NPN-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN下工作，以及SMini5-F3-B供应商设备包，该设备也可以用作47k电阻器基极R1欧姆。此外，最大功率为150mW，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有5-SMD、扁平引线封装外壳，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大工作温度范围为+150℃，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V，集流器Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为500nA，连续集电极电流为100mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO最大值为50V。
DMC562050R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5，包括500nA集电器截止电流最大值，设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce，如数据表注释所示，用于160@5mA、10V，提供表面安装等安装类型功能，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可作为150mW最大功率使用。此外，电阻器基极R1欧姆为10k，该器件采用SMini5-F3-B供应商器件封装，该器件具有2 NPN预偏置（双）晶体管类型，Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@500μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
