9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC56400R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC56400R参考价格为0.48000美元。松下电子元件DMC56400R包装/规格:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6。您可以下载DMC56400R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC5610N0R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于SMD/SMT安装样式,数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的封装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于SMINI5-F3-B,以及双重配置,该器件还可以用作150mW功率最大值。此外,晶体管类型为2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合),该器件提供100mA电流收集器Ic Max,该器件具有50V的电压收集器-发射极击穿最大值,电阻器基极R1欧姆为4.7k,电阻器基极R2欧姆为47k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA,10V,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极截止最大值为500nA,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V,晶体管极性为NPN,连续集电极电流为100 mA,DC集电极基极增益hfe Min为0.5,典型输入电阻为4.7千欧,典型电阻比为0.1。
DMC562000R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于47千欧的典型输入电阻器,其提供了晶体管类型的功能,如2 NPN-预偏置(双),晶体管极性设计为在NPN下工作,以及SMini5-F3-B供应商设备包,该设备也可以用作47k电阻器基极R1欧姆。此外,最大功率为150mW,该器件采用Digi-ReelR替代封装封装,该器件具有5-SMD、扁平引线封装外壳,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最大工作温度范围为+150℃,直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V,集流器Ic最大值为100mA,集电极截止电流最大值为500nA,连续集电极电流为100mA,配置为双,集电极-发射极电压VCEO最大值为50V。
DMC562050R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5,包括500nA集电器截止电流最大值,设计用于100mA集电器Ic最大值、直流电流增益hFE最小Ic Vce,如数据表注释所示,用于160@5mA、10V,提供表面安装等安装类型功能,除了Digi-ReelR替代封装外,该器件还可作为150mW最大功率使用。此外,电阻器基极R1欧姆为10k,该器件采用SMini5-F3-B供应商器件封装,该器件具有2 NPN预偏置(双)晶体管类型,Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@500μa,10mA,集电极-发射极击穿最大值为50V。