9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD815CP40，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD815CP40参考价格为9.313182美元。STMicroelectronics STD815CP40包装/规格：TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP。您可以下载STD815CP40英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如STD815CP40价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STD80N6F6是MOSFET N-CH 60V DPAK？，STripFET？VI系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的DPAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为120W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为7480pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为80A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.5mOhm@40A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为122nC@10V，Pd功耗为120W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为20 V，并且Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds漏极源极导通电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为122nC。
带有用户指南的STD80N10F7，包括4.5 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，例如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为19 ns，以及36 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联N沟道STripFET，上升时间为32ns，Rds漏极-源极电阻为10mOhm，Qg栅极电荷为45nC，Pd功耗为85W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为70 A，下降时间为13 ns，配置为单一。
STD80N4F6是MOSFET N-CH 40V 80A DPAK，包括11.9ns的下降时间，它们被设计为以80A Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，安装类型被设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Reel，器件提供70W Pd功耗，器件具有36nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为6mOhms，上升时间为7.6ns，串联为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为46.1ns，并且典型的接通延迟时间为10.5ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V。
