9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVMUN5333DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSVMUN5333DW1T1G参考价格为0.41000美元。onsemi NSVMUN5333DW1T1G包装/规格：TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88。您可以下载NSVMUN5333DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NSVMUN5333DW1T1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NSVMUN5332DW1T1G是TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88，包括MUN5332DW1系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363，除了250mW最大功率外，该器件还可以用作1 NPN、1 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为100mA，该设备提供50V电压集电器-发射器击穿最大值，该设备具有4.7k电阻基极R1欧姆，电阻-发射器基极R2欧姆为4.7k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为15@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@1mA，10mA，集电器截止最大值为500nA。
带有用户指南的NSVMUN5316DW1T1G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@300μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，电阻器基极R1欧姆设计为4.7k，除了250mW最大功率外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，该器件为表面安装安装型，该器件具有160@5mA、10V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为500nA。
带有电路图的NSVMUN5331DW1T1G，包括500nA集电器最大截止电流，它们设计用于100mA集电器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于8@5mA、10V的安装型，提供表面安装等安装型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作250mW的最大功率。此外，电阻器基极R1欧姆为2.2k，该器件提供2.2k电阻器发射极基极R2欧姆，该器件具有供应商器件封装的SC-88/SC70-6/SOT-363，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@5mA，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
