9icnet为您提供松下电子元件公司设计和生产的DMC26110R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC26110R参考价格为0.374美元。松下电子元件DMC26110R包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5。您可以下载DMC261010R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMC25D1UVT-7，包括DMC25系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供SOT-23-6薄型、TSOT-23-6等封装外壳功能，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1.3W，漏极至源极电压Vdss为25V、12V，输入电容Cis-Vds为27.6pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为500mA，3.9A，Rds On最大Id Vgs为4 Ohm@400mA，4.5V，Vgs th最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.9nC@10V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.3 ns 6.5 ns，上升时间为1.4 ns 2.7 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V 8 V，Id连续漏极电流为500 mA-3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V-12 V，Vgs第h栅极-源极端电压为650 mV-350 mV，Rds漏极源极电阻为4欧姆100 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为5.7ns 9.8ns，典型接通延迟时间为2.5ns 1.2ns，Qg栅极电荷为0.9nC24.5nC，信道模式为增强。
DMC2600R是TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于47千欧的典型输入电阻器，其提供了晶体管类型的功能，如2 NPN-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN中工作，以及Mini5-G3-B供应商设备包，该设备也可以用作47k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为300mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有SC-74A、SOT-753封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大工作温度范围为+150℃，直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA、10V，集流器Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为500nA，连续集电极电流为100mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO最大值为50V。
DMC2D1UVT-13，带电路图，包括500mA、3.9A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在25V、12V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在0.9nC@10V下工作，以及27.6pF@110V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，工艺为Si，Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
