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ZXTC2063E6TA是TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23，包括ZXTC2063系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-23-6，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-26供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供1.1W最大功率，该设备具有晶体管型NPN、PNP，集电极Ic最大值为3.5A、3A，集电极-发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@10mA、2V/200@1A、2V，Vce饱和最大Ib Ic为195mV@350mA、3.5A/175mV@300mA、3A，集电极截止电流最大值为50nA（ICBO），频率转换为190MHz、270MHz，Pd功耗为1700mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为40 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极基极电压VCBO为45 V 150 V，发射极基极电压VEBO为7V，在PNP下NPN 3A时最大DC集电极电流为3.5A，增益带宽乘积fT为190MHz 270MHz，DC集电极基极增益hfe Min为TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23，直流电流增益hfe Max为300mA，在2V下10mA。
ZXTC2062E6TA是TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23，包括20V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在190mV@200mA、4A/250V@175mA、3.5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供晶体管类型功能，如NPN、PNP。晶体管极性设计为在NPN PNP中工作，以及SOT-26供应商设备包，该设备也可以用作ZXTC2062系列。此外，最大功率为1.1W，该器件提供1700 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-23-6，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，PNP下NPN 3.5 A时的最大直流集电极电流为4 A，增益带宽积fT为215 MHz 290 MHz，频率转换为215MHz、290MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为280@1A、2V/170@1A、2 V，2 V下10 mA时的直流电流增益h FE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23，集电极Ic最大值为4A、3.5A，集电极截止值最大值为50nA（ICBO），配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为20V，集电极基极电压VCBO为25V、100V。
ZXTC2061E6TA是TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23，包括12 V 20 V集电极基极电压VCBO，它们设计用于12 V集电极-发射极电压VCEO Max，配置如数据表注释所示，用于双路，提供集电极截止最大功能，如50nA（ICBO），集电极Ic Max设计用于5A、3.5A、，以及TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23直流集电极基极增益hfe Min，该器件也可以在2 V直流电流增益hfe Max下，在10 mA时用作500。此外，直流电流增益h FE Min Ic Vce为480@1A，2V/290@1A，2 V，该器件提供7 V发射极基极电压VEBO，该器件具有260MHz的频率转换，增益带宽乘积fT为260 MHz 310 MHz，在PNP下，NPN 3.5 A时的最大直流集电极电流为5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为SOT-23-6，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1700 mW，最大功率为1.1W，和系列为ZXTC206，供应商设备包为SOT-26，晶体管极性为NPN PNP，晶体管类型为NPN，PNP，单位重量为0.000282盎司，Vce饱和最大Ib-Ic为180mV@100mA，5A/200mV@350mA，3.5A，集电极-发射极击穿最大值为12V。
