9icnet为您提供CEL设计和生产的NE97833-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE97833-A参考价格$3.648036。CEL NE97833-A包装/规格：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23。您可以下载NE97833-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE97733-T1B-A是RF TRANSISTOR NPN SOT-23，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型PNP，电流收集器Ic最大值为50mA，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20@20mA，8V，频率转换为8.5GHz，噪声系数dB Typ f为1.5dB@1GHz，增益为12dB，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为8500 MHz（Typ），集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为PNP，发射极基极电压VEBO为3 V，最大直流集电极电流为0.05 A，连续集电极电流为0.05A。
NE97733-A是RF晶体管PNP SOT-23，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在0.007090盎司单位重量下工作。PNP中使用的晶体管类型如数据表注释所示，提供晶体管极性特性，如PNP，技术设计为在Si中工作，以及SOT-23供应商设备包，该器件还可以用作200mW最大功率。此外，Pd功耗为0.2W，该器件采用散装交替封装，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，噪声系数dB Typ f为1.5dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为12dB，频率转换为8.5GHz，发射极基极电压VEBO为-3 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为20@20mA，8V，直流集电极基极增益hFE Min为40，集电极Ic Max为50mA，连续集电极电流为-0.05 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为-12 V。
NE97733-T1-A是射频双极晶体管PNP高频，包括单配置，它们设计为在-0.05 A的连续集电极电流下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及0.2 W Pd功耗，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为PNP，该器件为双极晶体管型，该器件的单位重量为0.007090盎司。
