9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTD1M832TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTD1M832TA参考价格为1.52414美元。Diodes Incorporated ZXTD1M832TA包装/规格：TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP。您可以下载ZXTD1M832TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXTD09N50DE6TA是TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6，包括ZXTD09系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-23-6，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-26供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为1.1W，该设备具有2 NPN（双重）晶体管型，集电极Ic最大值为1A，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为270mV@50mA，1A，集流器截止最大值为10nA，频率转换为215MHz，Pd功耗为0.9W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为160 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，并且发射极基极电压VEBO为5V，最大DC集电极电流为1A，增益带宽乘积fT为215MHz，连续集电极电流是1A，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为200，在2V时为300，在100mA时为200mA，在2V时为500mA，在2A时为200V，在2V20时为1.5A，在10V时为200。
ZXTD09N50DE6TC是TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在270mV@50mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic的情况下工作，数据表说明中显示了用于2 NPN（双）的晶体管类型，其提供供应商设备包功能，如SOT-26，功率最大值设计为1.1W，该设备还可以用作SOT-23-6包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备提供215MHz频率转换，该设备具有200@500mA、2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为1A，集电器截止值最大值为10nA。
ZXTD09N50DE6，电路图由DIODES制造。ZXTD09N50DE6采用SOT23-6封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
