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ZXTC2062E6TA是TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23，包括ZXTC2062系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-23-6，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-26供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供1.1W最大功率，该设备具有晶体管型NPN、PNP，集电极Ic最大值为4A、3.5A，集电极-发射极击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为280@1A、2V/170@1A、3V，Vce饱和最大Ib Ic为190mV@200mA、4A/250V@175mA、3.5A，集电极截止电流最大值为50nA（ICBO），频率转换为215MHz、290MHz，Pd功耗为1700mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，集电极-发射极电压VCEO最大值为20 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极基极电压VCBO为25 V 100 V，发射极基极电压VEBO为7V，在PNP下NPN 3.5A时，最大DC集电极电流为4A，增益带宽乘积fT为215MHz 290MHz，DC集电极基极增益hfe Min为TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23，直流电流增益hfe Max为300，在5V下10mA。
ZXTC2061E6TA是TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23，包括12V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在100mA时工作180mV，350mA时工作5A/200mV，3.5A Vce饱和最大值Ib Ic，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供晶体管类型功能，如NPN、PNP。晶体管极性设计为在NPN PNP中工作，以及SOT-26供应商设备包，该设备也可以用作ZXTC206系列。此外，最大功率为1.1W，该器件提供1700 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-23-6，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，PNP下NPN 3.5 A时的最大DC集电极电流为5 A，增益带宽积fT为260 MHz 310 MHz，频率转换为260 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，DC电流增益hFE Min Ic Vce为480@1A，2V/290@1A，2 V，且DC电流增益h FE Max为500@10 mA@2 V，DC集电极基极增益hFE Min为TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23，集电极Ic最大值为5A、3.5A，集电极截止值最大值为50nA（ICBO），配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为12V，集电极基极电压VCBO为12V、20V。
ZXTC2045E6TA是TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6，包括40 V集电极基极电压VCBO，它们设计为与30 V集电极-发射极电压VCEO Max一起工作，配置如数据表注释所示，用于双路，提供电流集电极截止最大功能，如20nA，电流集电极Ic Max设计为工作在1.5A，除了在2 V DC集电极基极增益hfe Min时在100 mA时的180，该器件还可以在2 V直流电流增益hfe Max时在100毫安时用作180。此外，直流电流增益h FE Min Ic Vce为180@100mA，2V，该器件提供7 V发射器基极电压VEBO，该器件具有1.5 a的最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装盒为SOT-23-6，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1700 mW，最大功率为1.1W，系列为ZXTC2045，供应商器件封装为SOT-26，晶体管极性为NPN PNP，晶体管类型为NPN、PNP，单位重量为0.000282盎司，Vce饱和最大值Ib-Ic为375mV@15mA、750mA，集电极-发射极击穿最大值为30V。
