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PBLS2002S，115是TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如8-SO，功率最大设计为1.5W，以及1 NPN预偏置，1 PNP晶体管类型，该器件也可以用作100mA，3A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，20V，该器件提供4.7k电阻基极R1欧姆，该器件具有4.7k电阻-发射器基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@10mA，5V/150@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为150mV@500μa，10mA/355mV@300mA，3A，电流收集器截止最大值为1μa，100nA，频率转换为100MHz。
具有PHILIPS制造的用户指南的PBLS2002S。PBLS2002S采用SOP8封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。
PBLS2003D，带有NXP制造的电路图。PBLS2003D采用SOT23-6封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。
