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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
库存
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数量
操作
NHUMB13X
NHUMB13X
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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NHUMB11X
NHUMB11X
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PBLS4005D,115
PBLS4005D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 600mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.71864

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92300

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PUMH9,135
PUMH9,135
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.14486

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,448.58000

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PUMH9,165
PUMH9,165
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PUMH10,125
PUMH10,125
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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NHUMD9X
NHUMD9X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35628

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,481.83800

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PIMD2,125
PIMD2,125
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.48368

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,451.04300

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PRMD3Z
PRMD3Z
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6

¥2.53502

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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PRMD12Z
PRMD12Z
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6

¥2.53502

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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PRMH11Z
PRMH11Z
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6

¥2.53502

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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PBLS6022D,115
PBLS6022D,115
晶体管类别: 1 PNP预偏置,1 PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、1.5A 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 760mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥1.13127

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,393.80700

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PBLS2024D,115
PBLS2024D,115
晶体管类别: 1 PNP预偏置,1 PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、1.8A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 760mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥1.13127

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,393.80700

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PBLS2023D,115
PBLS2023D,115
晶体管类别: 1 PNP预偏置,1 PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、1.8A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 760mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥1.13127

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,393.80700

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PBLS2022D,115
PBLS2022D,115
晶体管类别: 1 PNP预偏置,1 PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、1.8A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 760mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥3.76631

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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PBLS2021D,115
PBLS2021D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、1.8A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 760mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥1.13127

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,393.80700

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PEMH15,115
PEMH15,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥2.75230

8007

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PIMN31,115
PIMN31,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 420mW 供应商设备包装: 6-TSOP

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PUMD48,125
PUMD48,125
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.30710

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,763.89100

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PUMD48,165
PUMD48,165
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.53502

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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