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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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品牌型号
描述
价格
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操作
NHUMB11F
NHUMB11F
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMB2F
NHUMB2F
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMD13F
NHUMD13F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMB9X
NHUMB9X
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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NHUMB10X
NHUMB10X
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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NHUMH10X
NHUMH10X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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NHUMD2X
NHUMD2X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.48209

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,446.26100

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PUMB30,115
PUMB30,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB18,115
PUMB18,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB24,115
PUMB24,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB15,115
PUMB15,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB16,115
PUMB16,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB20,115
PUMB20,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB4,115
PUMB4,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMH19,115
PUMH19,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB14,115
PUMB14,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMB19,115
PUMB19,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMD14,115
PUMD14,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMD30,115
PUMD30,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMH30,115
PUMH30,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

93000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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