NHUMD13F
- 描述:晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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起订量: 10000
数量 | 单价 | 合计 |
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10000+ | 0.35635 | 3563.51000 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 安装类别 表面安装
- 基极电阻 (R1) 4.7kOhms
- 发射极电阻 (R2) 47kOhms
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 集电极击穿电压 80V
- 最小直流增益 100@10毫安,5V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 100mV@500A、 10毫安
- 集电极最大截止电流 100nA
- 最大功率 350mW
- 供应商设备包装 6-TSSOP
- 特征频率 170MHz、150MHz
NHUMD13F所属分类:预偏置双极晶体管阵列,NHUMD13F 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NHUMD13F价格参考¥0.356351,你可以下载 NHUMD13F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NHUMD13F规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...