品牌介绍
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根，每年运送900多亿种产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准，具有业界领先的小型封装，可节省宝贵的能源和空间。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,059.49200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35628 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,125.56000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35628 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,481.83800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.40155 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,015.46000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.42204 | 61000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,266.13200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 350mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.44377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.86000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.44377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.86000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 350mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.44377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.86000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.21729 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,033.63426 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.44377 | 14490 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.86000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.44377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,218.86000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥0.45746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,659.69600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥0.45746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,659.69600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥0.45746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,659.69600 | 添加到BOM 立即询价 |