9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计和生产的PQMD2Z，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PQMD2Z参考价格为0.03000美元。Nexperia USA Inc.PQMD2Z包装/规格：TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6DFN。您可以下载PQMD2Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PQMD12Z带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于6-XFDFN暴露焊盘的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于DFN1010B-6，以及350mW最大功率，该器件也可以用作1 NPN、1 PNP-预偏置（双）晶体管类型。此外，集流器Ic最大值为100mA，该器件提供50V集流器-发射极击穿最大值，该器件具有47k电阻器基极R1欧姆，电阻器-发射极基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为150mV@500μa，10mA，且集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为230MHz、180MHz，Pd功耗为230mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为50 V；集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为10V，最大DC集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为230MHz，连续集电极电流是100mA，DC集电极基极增益hfe Min为80。
PQMD13Z带有用户指南，其中包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在100mV@250μa、5mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 NPN、1 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如DFN1010B-6，系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及47k电阻器发射极基极R2欧姆，该器件也可以用作4.7k电阻器基极R1欧姆。此外，最大功率为350mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-XFDFN封装外壳外露衬垫，安装类型为表面安装，频率转换为230MHz、180MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@10mA、5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为1μa。
PQMD16Z带有电路图，包括1μA集电器最大截止电流，它们设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于80@5mA，5V，具有230MHz，180MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及6-XFDFN暴露焊盘封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为350mW，该器件提供22k电阻基极R1欧姆，该器件具有47k电阻-发射极基极R2欧姆，系列为AEC-Q101汽车系列，供应商器件包为DFN1010B-6，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为150mV@500μa，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
