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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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描述
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操作
PBLS6002D,115
PBLS6002D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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NHUMD9F
NHUMD9F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMH11F
NHUMH11F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMD12X
NHUMD12X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PBLS6001D,115
PBLS6001D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥3.25931

2515

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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PUMD9-QX
PUMD9-QX
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥1.70239

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.70239

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PUMH9-QZ
PUMH9-QZ
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.30104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.30104

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PUMH9-QX
PUMH9-QX
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥1.52486

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52486

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PUMH9-QH
PUMH9-QH
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.41651

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.41651

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PUMD3-QX
PUMD3-QX
晶体管类别: NPN,PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.40464

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.40464

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PUMD3-QZ
PUMD3-QZ
晶体管类别: NPN,PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.51408

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.51408

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PEMH10115
PEMH10115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: SOT-66

¥2.77333

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.77333

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PBLS4002D,115
PBLS4002D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 600mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥1.40084

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.40084

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PEMH7,115
PEMH7,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.37202

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.37202

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PEMD18,115
PEMD18,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.24409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.11812

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PEMB18,115
PEMB18,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.24409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.11812

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PEMF21,115
PEMF21,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 12V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: SOT-66

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.01472

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PBLS4001D,115
PBLS4001D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 600mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP

¥2.83801

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.83801

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PEMH30,315
PEMH30,315
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.76994

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.76994

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PEMD19,115
PEMD19,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.24409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.11812

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