品牌介绍
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根，每年运送900多亿种产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准，具有业界领先的小型封装，可节省宝贵的能源和空间。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 600mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.71864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.26103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,610.34000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥2.62193 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.62193 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.75230 | 1025 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥1.56273 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.56273 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.26103 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,610.34000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥2.83922 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.83922 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥2.49798 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.49798 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6 | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6 | ¥2.53502 | 144900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.94327 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.94327 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥1.78180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.78180 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.76775 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.76775 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥1.73007 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73007 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥1.42251 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.42251 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥2.60744 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.60744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.34773 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.34773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥2.77884 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.77884 | 添加到BOM 立即询价 |