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PUMB1115是TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6SSOP，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如6-TSSOP，功率最大设计为300mW，除了2 PNP预偏置（双）晶体管类型外，该器件还可以用作100mA集电极Ic最大值。此外，集电极-发射极击穿最大值为50V，该器件提供22k电阻基极R1欧姆，该器件具有22k电阻发射极基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为150mV@500μa，10mA，集电极截止最大值为1μA。
PUMB1135是TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6SSOP，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在150mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如6-TSSOP，电阻器-发射极基极R2欧姆设计为22k，除了22k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，该封装是磁带和卷轴（TR）交替封装，该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@5mA，5V，集流器Ic最大值为100mA，集电极截止电流最大值为1μA。
PUMB1，带有NXP制造的电路图。PUMB1采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
