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PUMH11115是TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6SSOP，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如6-TSSOP，功率最大设计为300mW，除了2 NPN预偏置（双）晶体管类型外，该器件还可以用作100mA集流器Ic Max。此外，集流器-发射极击穿最大值为50V，该器件提供10k电阻器基极R1欧姆，该器件具有10k电阻器发射极基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为150mV@500μa，10mA，集电极截止最大值为1μA。
PUMH11F带有用户指南，其中包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在150mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如6-TSSOP，电阻-发射极基极R2欧姆设计为10k，除了10k电阻基极R1欧姆外，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件具有安装型表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为30@5mA、5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止值最大值为1μa。
PUMH13115是TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6SSOP，包括1μA电流收集器最大截止电流，它们设计用于100mA电流收集器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于100@10mA，5V，提供表面安装等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP，SC-88，SOT-363，除了Digi-ReelR封装外，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，电阻器基极R1欧姆为4.7k，该器件提供47k电阻器发射极基极R2欧姆，该器件具有供应商器件封装的6-TSSOP，晶体管类型为2 NPN-预偏置（双），Vce饱和最大Ib-Ic为100mV@250μa，5mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
PUMH13具有NXP制造的EDA/CAD模型。PUMH13采用SOT363封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。
