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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
PEMH9,315
PEMH9,315
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.45746

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,659.69600

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PEMH11,315
PEMH11,315
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.45746

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,659.69600

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PEMH11,115
PEMH11,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PRMD10Z
PRMD10Z
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6

¥2.53502

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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PEMD9,115
PEMD9,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PUMF12,115
PUMF12,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.28972

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.72500

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PEMB10,115
PEMB10,115
晶体管类别: 2 PNP预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMH9F
NHUMH9F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.60744

9830

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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NHUMD3X
NHUMD3X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.60744

1167

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.60744

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PBLS1504Y,115
PBLS1504Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

3070

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMH11X
NHUMH11X
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

2999

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMB2X
NHUMB2X
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

2995

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PIMC31F
PIMC31F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 420mW 供应商设备包装: 6-TSOP

¥2.89716

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.89716

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NHUMD10X
NHUMD10X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

2745

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PBLS1501Y,115
PBLS1501Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

2450

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PBLS4004Y,115
PBLS4004Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

2199

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PBLS1503Y,115
PBLS1503Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.71864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92300

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PBLS2003D,115
PBLS2003D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安,1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.71864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92300

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PBLS2002D,115
PBLS2002D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安,1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.71864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92300

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PBLS6005D,115
PBLS6005D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.71864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92300

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