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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
PEMD17,115
PEMD17,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.69966

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.69966

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PEMB30,315
PEMB30,315
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.89764

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.89764

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PEMB30,115
PEMB30,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.45236

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.45236

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PEMB17,115
PEMB17,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥1.54424

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54424

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PEMB14,115
PEMB14,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.24409

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.11812

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PUMB1,135
PUMB1,135
PUMB1 - PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPE

¥0.14486

720000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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PIMD2,125
PIMD2,125
PIMD2 - NPN/PNP RESISTOR-EQUIPPE

¥0.28972

107078

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,436.51156

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PBLS6005D,115
PBLS6005D,115
NEXPERIA PBLS6005D - SMALL SIGNA

¥0.43457

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,211.11251

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PBLS2021D,115
PBLS2021D,115
NEXPERIA PBLS2021D - SMALL SIGNA

¥0.72429

72000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,147.51985

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PBLS6021D,115
PBLS6021D,115
NEXPERIA PBLS6021D - SMALL SIGNA

¥0.72429

45000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,147.51985

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PUMD17,115
PUMD17,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.39016

815

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.39016

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PEMD16,115
PEMD16,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥2.75230

290

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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NHUMD2F
NHUMD2F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.75230

198

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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PBLS4002Y,115
PBLS4002Y,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥3.25931

3079

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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PBLS1501V,115
PBLS1501V,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: SOT-66

¥3.40416

11824

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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PUMD12,135
PUMD12,135
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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NHUMH2F
NHUMH2F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMH10F
NHUMH10F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMB10F
NHUMB10F
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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NHUMB13F
NHUMB13F
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35635

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,563.51000

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