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品牌介绍

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅根,每年运送900多亿种产品,符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能等方面被公认为效率的基准,具有业界领先的小型封装,可节省宝贵的能源和空间。

英文全称: Nexperia USA Inc.

中文全称: 安世半导体

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
PUMB1,135
PUMB1,135
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PEMD30,115
PEMD30,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PUMB1,115
PUMB1,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35316

393550

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,059.49200

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PUMD10,135
PUMD10,135
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.53502

52

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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PEMH1,115
PEMH1,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PUMD15,135
PUMD15,135
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PUMH11F
PUMH11F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PUMB10F
PUMB10F
PUMB10/SOT363/SC-88

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PUMH17F
PUMH17F
PUMH17/SOT363/SC-88

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PEMH14,115
PEMH14,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

310000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PUMH7F
PUMH7F
PUMH7/SOT363/SC-88

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PUMH1,115
PUMH1,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥2.02801

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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PEMD24,115
PEMD24,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PUMH10Z
PUMH10Z
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PEMH4,115
PEMH4,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

14500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PEMH16,115
PEMH16,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PEMB3,115
PEMB3,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PEMB24,115
PEMB24,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.50823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,032.93600

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PUMH2F
PUMH2F
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.26103

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,610.34000

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PRMD16Z
PRMD16Z
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6

¥2.53502

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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