BFU520YX

Name: BFU520YX
Brand: 恩智浦 (NXP)
SKU: 7089474-BFU520YX
Price: 5.181158 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: 2 NPN（双）最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP
品牌: 恩智浦 (NXP)
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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 12伏
制造厂商恩智浦 (NXP)
安装类别表面安装
特征频率 10GHz
最大功率 450mW
最小直流增益 60 @ 5毫安, 8V
最大集电极电流 (Ic) 30毫安
工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
晶体管类别 2 NPN（双）
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
增益 19分贝
噪声系数 (dB) 频率 (f) 0.65分贝@900MHz
供应商设备包装 6-TSSOP

BFU520YX 产品详情

NXP Semiconductor BFU5x NPN宽带硅RF晶体管是经AEC-Q101认证的低噪声、高击穿RF晶体管，适用于高达2GHz的小信号到中等功率应用。BFU5x RF晶体管提供卓越的性能，在900MHz时产生20dB的最大增益和0.7dB的噪声系数。这些设备允许在低到中等功率下更好地接收信号，并使RF接收机能够在噪声环境中更稳定地工作。当用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x RF晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些设备非常适合于汽车、通信和工业应用。该产品系列有多种行业标准包，包括SOT323、SOT23和SOT143。

特色

低噪声、高击穿RF晶体管
AEC-Q101合格
900 MHz时的最小噪声系数（NFmin）=0.65 dB
900 MHz时最大稳定增益20 dB
11 GHz fT硅技术

目标应用程序

需要高电源电压和高击穿电压的应用
高达2GHz的宽带放大器
ISM应用的低噪声放大器
ISM波段振荡器

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型号	制造商	描述	价格
BFU520AR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB)	¥2.20112
BFU630F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 200mW 特征频率: 21GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥4.56303
BFU550XRR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143R	¥1.19725
BFU520WF	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: SC-70	¥1.66448
BFU610F,115	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10毫安集电极击穿电压: 5.5V 最大功率: 136毫瓦特征频率: 15GHz 供应商设备包装: 4-DFP	¥3.04202
BFU520YX	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: 2 NPN（双）最大集电极电流 (Ic): 30毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 10GHz 供应商设备包装: 6-TSSOP	¥5.18116
BFU530XAR	恩智浦 (NXP)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安集电极击穿电压: 12伏最大功率: 450mW 特征频率: 11GHz 供应商设备包装: SOT-143B	¥2.89716
BFU768F,115		BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G	¥0.97171
BFU550WF		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥1.22101
BFU550WX		BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R	¥2.12572

BFU520YX所属分类：双极射频晶体管，BFU520YX 由恩智浦 (NXP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFU520YX价格参考￥5.181158，你可以下载 BFU520YX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFU520YX规格参数、现货库存、封装信息等信息！