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DMC52010R是TRANSISTOR NPN 50V SMINI5-F3-B，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，额定电流如数据表注释所示，用于100mA，提供封装外壳功能，如5-SMD、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及50V额定电压，该设备也可以用作通用放大应用。此外，供应商设备包为SMini5-F3-B，该设备为双配置，该设备具有2 NPN（双）晶体管型公共基极，Pd功耗为150 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射极饱和电压为0.13V，集电极基极电压VCBO为60V，发射极基极电压VEBO为7V，最大DC集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是100mA，DC集电极基基增益hfe Min为210，DC电流增益hfe Max为460。
DMC54010R是TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN（双），提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在SMINI6-F3-B中工作，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为6-SMD，扁平引线，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为100 mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V。
DMC05010R是TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为双配置运行，数据表注释中显示了用于100 mA的连续集电极电流，其提供了100μa等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计为工作在100 mA，除了210 DC集电极基本增益hfe Min，该器件还可以用作210@2mA、10V DC电流增益hfe Min Ic Vce。此外，频率转换为150MHz，该器件提供150MHz增益带宽产品fT，其最大工作温度范围为+150℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为6-SMD，扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为150mW，供应商设备包为SMini6-F3-B，晶体管极性为NPN，晶体管类型为2 NPN（双），Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@10mA，100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
DMC506010R是TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6，包括表面安装型，它们设计用于SMINI6-F3-B供应商设备封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供晶体管极性功能，如NPN，配置设计用于双路，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可以用作6-SMD、扁平引线封装盒。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为50V，该器件提供50 V集电极-发射器电压VCEO最大值，该器件具有300mV@10mA，100mA Vce饱和最大值Ib Ic，直流电流增益hFE最小值Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE最小值为210，晶体管类型为2 NPN（双），功率最大值为150mW，频率转换为150MHz，增益带宽乘积fT为150 MHz，集流器截止最大值为100μA，集流电流Ic最大值为100mA，连续集流器电流为100 mA，其最大工作温度范围为+150 C。
